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NPN晶體管是晶體管的一種,當基極b點電位高于發射極e點電位零點幾伏時,發射結處于正偏狀態,而集電極C點電位高于b點電位幾伏時,集電結處于反偏狀態,集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。
發射極為N型半導體、基極為P型半導體、集電極為N型半導體的晶體管稱為“NPN型晶體管”。例如,在基極和發射極之間施加電壓,使基極具有正電壓,發射極具有負電壓或地電位。
然后,N型半導體發射極中的自由電子流入基極。從發射極流出的電流稱為“發射極電流”,流過基極的電流稱為“基極電流”。一部分電子被困在基極(P型半導體)的電荷空穴中,成為“基極電流”,而其余大部分則進入集電極。這稱為“集電極電流”。
基極很薄,從發射極流向基極的大部分電子都是“集電極電流”??紤]電流而不是電子的運動,流經發射極的電流是“基極電流”和“集電極電流”的總和。注意電子的方向和電流的方向是相反的。在這里,PN結半導體的特性是增加基極和發射極之間的電壓會以指數方式增加“發射極電流”。
現在,由于“基極電流”小到可以忽略不計,“發射極電流”和“集電極電流”幾乎是相同的電流。因此,增加基極和發射極之間的電壓將使“集電極電流”呈指數增加。
因此,如果將“基極電流”視為輸入電流,將“集電極電流”視為輸出電流,則輸入電流的變化會被輸出電流的較大變化放大。
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【本文標簽】 npn晶體管
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