九齊芯片
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NY8AE51F是以MTP作為程式記憶體，并以EEPROM作為資料記憶體的 8 位微控制器，特別適合斷電后還需保存資料內容的IO產品的應用，例如遙控器、風扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。而MTP作為程式記憶體能更方便且有效率的開發產品。NY8AE51F核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編輯和控制，共有 60 條指令。除了少數指令需要 2 個時序，大多數指令都是 1 個時序即能完成，可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。
在I/O的資源方面，NY8AE51F有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產品方面，NY8AE51F內建了可選擇頻率的紅外載波發射口。
NY8AE51F有兩組計時器，可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。另外NY8AE51F提供 3組 10 位解析度的PWM輸出及一組蜂鳴器輸出，可用來驅動馬達、LED、或蜂鳴器等等。
NY8AE51F采用雙時鐘機制，高速振蕩或者低速振蕩都由內部RC振蕩輸入。在雙時鐘機制下，NY8AE51F可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節省電力消耗延長電池壽命。
在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發中斷喚醒 NY8AE51F 進入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發事件。
寬廣的工作電壓：
2.4V ~ 5.5V @系統頻率≦8MHz。
寬廣的工作溫度：-40°C ~ 85°C。
1Kx14 bits MTP。
64 bytes SRAM。
64 bytes EEPROM。 (一萬次以上擦寫)
6根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PB[5:0]。
PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。
PB[5:0]可選擇上拉電阻或開漏極輸出(Open-Drain)。
8層程序堆棧(Stack)。
存取數據有直接或間接尋址模式。
一組8位上數定時器(Timer0)包含可程序化的頻率預除線路。
一組10位下數定時器(Timer1)可選重復載入或連續下數計時。
叁個10位的脈沖寬度調變輸出(PWM1/2/3)。
一個蜂鳴器輸出(BZ1)。
38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇，同時載波之極性也可以根據數據作選擇。
內建上電復位電路(POR)。
內建低壓復位功能(LVR)。
內建16段低電壓偵測功能(LVD)。
內建看門狗計時(WDT)，可由程序硬體控制開關。
雙時鐘機制，系統可以隨時切換高速振蕩或者低速振蕩。
高速振蕩: I_HRC (1~20MHz內部高速RC振蕩)
低速振蕩: I_LRC (內部32KHz低速RC振蕩)
四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode)
與 睡眠模式(Halt mode)。
七種硬件中斷：
Timer0 溢位中斷。
Timer1 借位中斷。
WDT 中斷。
PB 輸入狀態改變中斷。
外部中斷輸入。
低電壓偵測中斷。
EEPROM寫入完成中斷。
NY8AE51D在待機模式(Standby mode)下的六種喚醒中斷：
Timer0 溢位中斷。
Timer1 借位中斷。
WDT 中斷。
PB 輸入狀態改變中斷。
外部中斷輸入。
低電壓偵測中斷。
NY8AE51D在睡眠模式(Halt mode)下的叁種喚醒中斷：
WDT 中斷。
PB 輸入狀態改變中斷。
外部中斷輸入。
NY8AE51D提供兩種電流檔位(Small / Normal)
NY8AE51F提供二種封裝類型：SOP8 和SOT23-6
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